MOSFET IRF840 - Transistor de Puissance N-Channel 8A 500V

Le MOSFET IRF840 est un transistor de puissance N-channel capable de gérer des courants jusqu'à 8A et des tensions jusqu'à 500V, idéal pour les applications de commutation haute tension et de gestion de puissance.

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Description

Le IRF840 est un transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications haute tension nécessitant une commutation rapide et fiable. Il est capable de supporter une tension drain-source de 500V et un courant de drain allant jusqu’à 8A, ce qui le rend parfaitement adapté aux alims à découpage (SMPS), onduleurs, circuits de commande de moteurs, lampes halogènes, et autres charges inductives ou résistives.

Sa structure MOSFET à enrichissement permet une commutation rapide avec de faibles pertes, grâce à une résistance à l’état passant RDS(on) faible. Le boîtier TO-220, largement répandu, permet une intégration facile sur circuit imprimé ainsi qu’un montage efficace sur dissipateur thermique via sa languette métallique. Cela garantit une excellente gestion thermique, même en cas de fonctionnement prolongé ou en charge continue.

Le IRF840 est également largement utilisé dans des circuits pilotés par microcontrôleur (ex. Arduino, STM32, ESP32), avec un driver de grille adapté, puisqu’il nécessite une tension Vgs typique de 10V pour une pleine conduction. Cela le rend parfaitement adapté à la commande de relais haute tension, éléments de chauffage, moteurs DC, ou transformateurs de puissance.

Ce MOSFET est particulièrement apprécié pour ses caractéristiques de robustesse :

  • Excellente tenue en tension,
  • Bonne résistance aux transitoires de tension (dv/dt),
  • Fonctionnement stable jusqu’à +150°C,
  • Commutation rapide (temps de montée et descente typiques <100ns).

Les makers, techniciens, ingénieurs et bricoleurs l’utilisent dans une multitude de projets électroniques : convertisseurs DC-DC, circuits d’éclairage LED haute tension, alimentations linéaires et à découpage, variateurs PWM, et bien d’autres.

En résumé, si tu recherches un MOSFET haute tension, fiable, facile à intégrer et très abordable, le IRF840 est une excellente solution pour tous tes projets de conversion d’énergie, pilotage de charge ou prototypage industriel

Données techniques

Type de transistor MOSFET N-channel
Tension drain-source (Vds) 500V
Courant de drain (Id) 8A
Tension de grille-seuil (Vgs) ±20V
Résistance à l'état passant (Rds(on)) 0,85 Ω à Vgs=10V
Capacitance d'entrée (Ciss) 1300 pF
Charge de grille totale (Qg) 67 nC
Temps de montée (tr) 40 ns
Temps de descente (tf) 25 ns
Paquet TO-220
Température de fonctionnement -55°C à 175°C

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