20N60 - MOSFET de Puissance N-Channel 20A 600V

Le MOSFET 20N60 est un transistor de puissance N-channel conçu pour gérer des courants jusqu'à 20A et des tensions jusqu'à 600V, idéal pour les circuits de commutation et les applications haute tension.

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Description

Le 20N60 est un MOSFET de puissance à canal N, spécialement conçu pour les applications nécessitant une haute tension (jusqu’à 600V) et un courant élevé (jusqu’à 20A). Il est largement utilisé dans les alimentations à découpage (SMPS), les onduleurs, les circuits de commutation rapide et les applications industrielles nécessitant des performances fiables, une faible dissipation thermique et une grande robustesse.

Ce transistor MOSFET est basé sur une technologie avancée qui assure une faible résistance à l’état passant (RDS(on)), contribuant à un rendement énergétique optimal, même sous forte charge. Il est encapsulé dans un boîtier TO-247, reconnu pour sa capacité à dissiper efficacement la chaleur, ce qui le rend adapté aux applications à forte densité de puissance. Le montage traversant permet une installation robuste, notamment sur des radiateurs ou des PCB renforcés.

Grâce à ses caractéristiques électriques avancées, le 20N60 permet des temps de commutation courts, ce qui le rend parfait pour les systèmes fonctionnant à haute fréquence. Son taux de dv/dt élevé et sa tension drain-source de 600V garantissent une excellente tenue aux pointes de tension, assurant ainsi la sécurité des autres composants du circuit. C’est un choix privilégié pour les ingénieurs concevant des circuits de conversion AC/DC, des chargeurs haute puissance ou des moteurs industriels.

Sa capacité de courant de 20A en continu permet de piloter sans souci des charges résistives ou inductives importantes, telles que moteurs, transformateurs, inducteurs, lampes halogènes ou éléments chauffants. Le MOSFET 20N60 est aussi utilisé dans les onduleurs solaires, les variateurs de vitesse et les systèmes de pilotage de puissance avec microcontrôleur, notamment Arduino, STM32 ou Raspberry Pi (via un driver adapté).

Il peut être utilisé en commande directe ou via un driver de grille, selon la tension logique disponible. Son comportement thermique stable et son boîtier renforcé lui permettent une longue durée de vie même en fonctionnement intensif.

En résumé, le MOSFET 20N60 est une solution idéale pour les circuits de commutation de puissance haute tension, offrant un excellent équilibre entre performance, fiabilité et facilité d’intégration. Il s’adresse aussi bien aux techniciens professionnels, qu’aux makers avancés développant des solutions de conversion ou de commande de puissance.

Données techniques

Type de transistor MOSFET N-channel
Tension drain-source (Vds) 600V
Courant de drain (Id) 20A
Tension de grille-seuil (Vgs) ±20V
Résistance à l'état passant (Rds(on)) 0.17 Ω à Vgs=10V
Capacitance d'entrée (Ciss) 3000 pF
Charge de grille totale (Qg) 200 nC
Temps de montée (tr) 30 ns
Temps de descente (tf) 25 ns
Paquet TO-220
Température de fonctionnement -55°C à 150°C

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