MOSFET IRF640 - Transistor de Puissance N-Channel 18A 200V

Le MOSFET IRF640 est un transistor de puissance N-channel capable de gérer des courants jusqu'à 18A et des tensions jusqu'à 200V, idéal pour les applications de commutation et de gestion de puissance.

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Description

Le MOSFET IRF640 est un transistor de puissance N-channel conçu pour répondre aux besoins des applications nécessitant une gestion efficace de la puissance et une capacité à supporter des tensions élevées. Capable de gérer des courants allant jusqu'à 18A et une tension drain-source maximale de 200V, ce composant est idéal pour les circuits de commutation rapide, les alimentations à découpage et les systèmes de gestion de puissance.

Grâce à sa faible résistance à l'état passant (Rds(on)) de 0,18 Ω, le IRF640 minimise les pertes énergétiques, ce qui améliore l'efficacité globale de vos circuits. Son boîtier TO-220 permet une dissipation thermique efficace, garantissant une performance stable même dans des environnements exigeants.

Le IRF640 est souvent utilisé dans des applications industrielles et de l'automatisation, où la robustesse et la fiabilité sont essentielles. Il est également adapté pour les projets de bricolage et les applications éducatives grâce à sa facilité d'intégration et ses performances robustes.

Données techniques

Type de transistor MOSFET N-channel
Tension drain-source (Vds) 200V
Courant de drain (Id) 18A
Tension de grille-seuil (Vgs) ±20V
Résistance à l'état passant (Rds(on)) 0,18 Ω à Vgs=10V
Capacitance d'entrée (Ciss) 1000 pF
Charge de grille totale (Qg) 71 nC
Temps de montée (tr) 15 ns
Temps de descente (tf) 12 ns
Paquet TO-220
Température de fonctionnement -55°C à 175°C

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