FTP20N50A MOSFET 20A 500V TO-220 – Transistor N-Channel de Puissance

MOSFET N-Channel FTP20N50A 20A 500V en boîtier TO-220. Idéal pour alimentations à découpage, onduleurs et commande moteur. Haute performance et commutation rapide pour vos projets électroniques.

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Description

Le FTP20N50A est un MOSFET de puissance de type N-Channel conçu pour les applications exigeantes d'électronique de puissance. Avec un courant de drain continu de 20A et une tension drain-source de 500V, ce composant offre des performances robustes pour la commutation rapide et la gestion de charges élevées. Son boîtier TO-220 traversant permet un montage facile sur circuit imprimé et une excellente dissipation thermique lorsqu'il est associé à un dissipateur approprié.

Caractéristiques techniques principales

  • Type : N-MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
  • Courant de drain continu (Id) : 20 A
  • Tension drain-source (Vds) : 500 V
  • Résistance à l'état passant Rds(on) : 0,26 Ω max à Vgs = 10 V
  • Dissipation de puissance (Pd) : 250 W à Tc = 25 °C
  • Boîtier : TO-220 (montage traversant)
  • Température de fonctionnement : -55 °C à +150 °C

Applications et compatibilité

Grâce à ses caractéristiques techniques solides, le FTP20N50A est parfaitement adapté pour :

  • Alimentations à découpage (SMPS) – Conversion AC/DC et DC/DC
  • Onduleurs – Conversion d'énergie pour systèmes solaires et industriels
  • Commandes de moteur – Variateurs de vitesse et contrôle PWM
  • Électronique de puissance générale – Commutation haute tension
  • Projets Maker et IoT – Pilotage de charges puissantes avec microcontrôleurs (Arduino, ESP32, Raspberry Pi) via un circuit driver adapté
  • Réparation et maintenance électronique – Remplacement de MOSFET défectueux dans divers équipements

Avantages du FTP20N50A

Ce transistor MOSFET se distingue par une commutation rapide et une faible résistance à l'état passant (Rds(on) de 0,26 Ω seulement), ce qui réduit les pertes par conduction et améliore le rendement énergétique de vos circuits. Sa tenue en tension de 500 V en fait un choix fiable pour les applications haute tension où la robustesse est primordiale. Le boîtier TO-220 facilite le montage et le refroidissement, garantissant une longue durée de vie même en fonctionnement continu.

Conseils d'utilisation

Pour des performances optimales, veillez à :

  • Utiliser un dissipateur thermique adapté pour dissiper la puissance calorifique
  • Appliquer une tension grille-source (Vgs) suffisante (10 V recommandé) pour saturer complètement le MOSFET
  • Ne pas dépasser les valeurs limites absolues indiquées dans la fiche technique
  • Ajouter une résistance de grille et une diode de roue libre si vous pilotez une charge inductive

Que vous soyez un professionnel de l'électronique, un réparateur ou un maker passionné, le FTP20N50A 20A 500V TO-220 est un composant fiable et polyvalent pour tous vos projets nécessitant une commutation de puissance efficace.

Données techniques

Type de Transistor N-MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
Courant de Drain Continu (Id) 20 A
Tension Drain-Source (Vds) 500 V
Tension Grille-Source (Vgs) ±30 V
Résistance Rds(on) 0.26 Ω (max) à 10V
Dissipation de Puissance (Pd) 250 W (à Tc=25°C)
Type de Boîtier TO-220
Température de Fonctionnement -55 °C à +150 °C
Charge de Grille Totale (Qg) 100 nC (typique)
Configuration Canal N
Type de Montage Traversant (Through Hole)
Dimension 15.5X10.16X4.7mm
Poid 2g

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