IRLB3036 MOSFET N-Channel 60V 195A TO-220 - Transistor de Puissance
MOSFET N-Channel IRLB3036 60V/195A en boîtier TO-220. Résistance ultra-faible de 1.9 mΩ, idéal pour vos projets de puissance, robotique et onduleurs au Maroc. Livraison rapide.
Description
Présentation du MOSFET IRLB3036
Le IRLB3036 est un MOSFET N-Channel de haute performance signé International Rectifier, appartenant à la célèbre gamme HEXFET. Conçu pour les applications exigeantes de puissance, ce transistor en boîtier TO-220 offre des caractéristiques techniques remarquables qui en font un choix de prédilection pour les makers, ingénieurs et passionnés d'électronique au Maroc.
Caractéristiques Techniques
- Tension Drain-Source (Vds) : 60 V
- Courant de Drain Continu (Id) : Jusqu'à 270 A (Silicon Limited)
- Résistance Drain-Source (Rds-on) : Seulement 1.9 mΩ @ 10V
- Tension de seuil de grille (Vgs-th) : 1.0 V à 2.5 V (Logic Level)
- Dissipation de puissance (Pd) : 380 W
- Boîtier : TO-220AB
- Température de fonctionnement : -55 °C à +175 °C
- Charge de grille (Qg) : 91 nC @ 4.5V
Pourquoi choisir l'IRLB3036 ?
Ce MOSFET N-Channel se distingue par sa résistance ultra-faible de 1.9 mOhm, ce qui minimise les pertes par conduction et améliore considérablement le rendement énergétique de vos circuits. Sa tension de seuil de grille compatible niveau logique (Logic Level) permet de le piloter directement depuis un microcontrôleur comme Arduino, ESP32 ou Raspberry Pi, sans nécessiter d'étage driver supplémentaire.
Applications courantes
- Contrôle de moteurs DC et brushless : Pilotage PWM pour robots, drones et machines-outils
- Onduleurs et convertisseurs DC-DC : Idéal pour la conversion d'énergie solaire et les alimentations à découpage
- Redressement synchrone : Pour des alimentations haute efficacité
- Protection de circuits : Commutation rapide et fiable
- Projets Arduino et ESP32 : Parfait pour les makers marocains grâce à son seuil Logic Level
- Éclairage LED haute puissance : Gradation et commutation sans échauffement excessif
- Alimentations DC : Régulation et commutation pour alimentations de laboratoire
Avantages pour vos projets
Avec son RDSon de seulement 1.9 mOhm, l'IRLB3036 minimise les pertes thermiques, vous évitant des dissipateurs de chaleur encombrants. Sa capacité à supporter 195A en continu et jusqu'à 270A en pointe en fait un transistor extrêmement robuste pour les applications les plus exigeantes.
Sa commutation rapide et sa faible charge de grille (91 nC) permettent des fréquences de découpage élevées, essentielles pour les alimentations à découpage modernes et les contrôleurs de moteur performants.
Compatibilité et intégration
Le boîtier TO-220 standard permet un montage facile sur circuit imprimé ou sur dissipateur thermique. Il est compatible avec la plupart des modules driver MOSFET et peut être utilisé en parallèle pour des courants encore plus élevés.
Que vous soyez un professionnel de l'électronique à Casablanca, un étudiant en génie électrique à Rabat, ou un maker passionné à Marrakech, l'IRLB3036 est le composant fiable et performant qu'il vous faut pour vos projets de puissance.
Qualité et authenticité
Chez abrid.ma, nous vous garantissons des composants originaux et certifiés, conditionnés avec soin pour préserver leur intégrité. Commandez votre IRLB3036 MOSFET N-Channel dès aujourd'hui et bénéficiez d'une livraison rapide partout au Maroc.
Données techniques
| Type de transistor | MOSFET N-Channel |
| Tension Drain-Source (Vds) | 60 V |
| Courant de Drain Continu (Id) | 270 A (Silicon Limited) |
| Résistance Drain-Source (Rds-on) | 1.9 mΩ @ 10V |
| Tension de seuil de grille (Vgs-th) | 1.0 V à 2.5 V (Logic Level) |
| Dissipation de puissance (Pd) | 380 W |
| Type de boîtier | TO-220AB |
| Température de fonctionnement | -55 °C à +175 °C |
| Charge de grille (Qg) | 91 nC @ 4.5V |
| Dimension | 15.65X10.67X4.83mm |
| Poid | 2g |