MOSFET IRLB3034 343A 40V TO-220AB Canal-N Transistor de puissance

IRLB3034 : un MOSFET Canal-N 343A 40V pour les applications à fort courant

Le IRLB3034 est un transistor MOSFET de puissance à canal N fabriqué par International Rectifier, issu de la célèbre technologie HEXFET. Ce composant se distingue par une capacité de courant exceptionnelle : jusqu'à 343 A de courant de drain continu pour une tension drain-source de 40 V. Il est présenté dans un boîtier traversant TO-220AB, simple à souder et à monter sur dissipateur.

Son atout principal réside dans sa résistance interne extrêmement faible : un RDS(on) typique de seulement 1,4 mΩ avec une tension grille-source de 10 V. Résultat : des pertes par conduction minimales, une chauffe réduite et un excellent rendement, même quand plusieurs dizaines d'ampères traversent le composant. C'est l'un des MOSFET les plus performants de sa catégorie.

Caractéristiques techniques

• Type : MOSFET de puissance à canal N (N-Channel)
• Technologie : HEXFET d'International Rectifier
• Tension drain-source (VDS) : 40 V
• Courant de drain continu (ID) : 343 A à 25 °C (limité par le boîtier à 195 A)
• Résistance à l'état passant (RDS(on)) : 1,4 mΩ à VGS = 10 V
• Tension grille-source (VGS) : ± 20 V max
• Tension de seuil (VGS(th)) : 1,0 V à 2,5 V – compatible Logic Level
• Dissipation de puissance (Pd) : 375 W à 25 °C
• Charge de grille (Qg) : 108 nC typique
• Boîtier : TO-220AB (montage traversant)
• Température de fonctionnement : -55 °C à +175 °C

Applications typiques

Grâce à sa commutation rapide et à son très faible RDS(on), l'IRLB3034 est parfaitement adapté aux circuits de puissance et aux projets électroniques exigeants :

• Alimentations à découpage et convertisseurs DC-DC
• Variateurs de vitesse pour moteurs à courant continu et moteurs brushless
• Commandes PWM, hacheurs et onduleurs (y compris onduleurs solaires)
• Protection de circuits et commutation de charges de forte puissance
• Contrôleurs de charge de batteries et systèmes solaires
• Projets makers, robotique et domotique avec Arduino, ESP32 ou Raspberry Pi
• Commandes d'éclairage haute puissance et charges résistives

Compatibilité et utilisation

Le boîtier TO-220AB est l'un des formats les plus répandus pour les transistors de puissance. Il se soude facilement sur une plaque d'essai (percée à 0,8 mm) ou une carte PCB. L'ergot central métallique permet de fixer le composant sur un dissipateur thermique pour évacuer la chaleur dans les applications à fort courant. Sa compatibilité Logic Level signifie qu'il peut être piloté directement par un microcontrôleur fonctionnant en 3,3 V ou 5 V (Arduino, ESP32), sans circuit driver supplémentaire – un vrai plus pour les makers.

Pour les montages à très fort courant, pensez à utiliser de l'étain de bonne qualité, des pistes épaisses et un dissipateur adapté afin de tirer le meilleur parti des performances de ce composant.

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