MOSFET IRFB4110PBF - N-channel 100V, 180A, TO-220-3
Le IRFB4110PBF est un transistor MOSFET canal N spécialement conçu pour les applications nécessitant une haute efficacité énergétique et une gestion optimale de la puissance. Idéal pour les projets électroniques de forte intensité.
Description
Le IRFB4110PBF est un transistor MOSFET canal N reconnu pour ses performances exceptionnelles dans les circuits de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant (RDS(on)) et supporte des courants élevés, ce qui le rend parfait pour des applications telles que les alimentations à découpage, les systèmes motorisés, ou encore les onduleurs. Avec sa conception optimisée, ce composant garantit une dissipation thermique efficace et une fiabilité accrue.
Domaines d’utilisation du IRFB4110PBF
Ce transistor est largement utilisé dans les systèmes électroniques nécessitant une commutation rapide et une gestion efficace des charges élevées. Les domaines typiques incluent les systèmes d'énergie renouvelable, les équipements industriels, les véhicules électriques et les circuits de commande de moteur.
Avantages et fonctionnement du IRFB4110PBF
Le IRFB4110PBF offre une capacité de commutation rapide tout en minimisant les pertes énergétiques, grâce à sa faible RDS(on). Sa compatibilité avec une large plage de tensions et courants en fait un choix polyvalent pour des projets complexes. De plus, il est exempt de plomb (RoHS compliant), ce qui le rend respectueux des normes environnementales actuelles.
Données techniques
| Type de transistor | MOSFET canal N |
| Tension de drain-source (VDS) | 100V |
| Courant de drain (ID) | 180A |
| Résistance à l'état passant (RDS(on)) | 4.5mΩ |
| Tension de seuil (VGS) | ±20V |
| Capacité de charge (Qg) | 180nC |
| Température de fonctionnement | -55°C à +175°C |
| Boîtier | TO-220AB |
| Conformité RoHS | Oui |
