FQPF5N60C Transistor MOSFET - 600V 5A N-Channel
Le FQPF5N60C est un transistor MOSFET N-Channel 600V/5A, idéal pour les applications de commutation haute tension et les alimentations à découpage.
Description
Le FQPF5N60C est un transistor MOSFET N-Channel spécialement conçu pour des applications haute tension et haute performance. Avec une tension de drain-source (Vds) maximale de 600V et un courant continu de 5A, ce composant est idéal pour les circuits de commutation, alimentations à découpage (SMPS) et autres dispositifs nécessitant une commande efficace de la puissance.
Grâce à sa technologie avancée, le FQPF5N60C offre une faible résistance à l’état passant (Rds(on)), réduisant ainsi les pertes de puissance et augmentant l’efficacité des circuits. Il est encapsulé dans un boîtier TO-220F isolé, qui facilite la dissipation thermique et l’intégration dans les systèmes électroniques tout en réduisant les besoins en isolation supplémentaire.
Ce MOSFET est couramment utilisé dans les convertisseurs DC-DC, les éclairages LED, les contrôleurs de moteurs et les systèmes d’alimentation haute fréquence, où une commutation rapide et une fiabilité maximale sont requises.
Applications :
- Alimentations à découpage (SMPS)
- Convertisseurs DC-DC
- Éclairages LED haute puissance
- Contrôleurs de moteurs
- Circuits de commutation haute tension
Données techniques
| Type de transistor | MOSFET N-Channel |
| Tension Drain-Source (Vds) | 600V |
| Courant Drain Continu (Id) | 5A |
| Résistance à l’état passant (Rds(on)) | 1.8 Ohms (typique) |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 2.0V à 4.0V |
| Puissance maximale dissipée (Pd) | 46W |
| Type de boîtier | TO-220F (plastique isolé) |
| Température de fonctionnement | -55°C à +150°C |
