Transistor IGBT FGA25N120AN 1200V 25A TO-3P
Le transistor IGBT FGA25N120AN combine haute performance et faible perte de conduction. Idéal pour les applications haute tension jusqu'à 1200V.
Description
Le FGA25N120AN est un transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) conçu pour offrir des performances optimales dans des applications haute tension et haute puissance. Grâce à sa capacité à supporter une tension de 1200V et un courant jusqu'à 25A, il est parfaitement adapté pour les convertisseurs, les onduleurs et les circuits d'alimentation à découpage.
Doté d’une faible chute de tension de conduction (Vce(sat)), ce transistor IGBT garantit un rendement énergétique amélioré et une dissipation thermique réduite, même dans des environnements exigeants. Cela permet d'optimiser la consommation d'énergie et de prolonger la durée de vie des systèmes dans lesquels il est intégré.
Sa conception robuste dans un boîtier TO-3P assure une excellente dissipation thermique, facilitant ainsi l’intégration dans des circuits électroniques complexes. Le FGA25N120AN est couramment utilisé dans :
- Les systèmes d'alimentation à découpage (SMPS),
- Les onduleurs pour moteurs électriques,
- Les dispositifs de climatisation et chauffage (HVAC),
- Les amplificateurs de puissance.
Grâce à sa vitesse de commutation rapide et ses pertes minimales, ce transistor IGBT est un choix fiable pour des applications industrielles nécessitant des performances élevées.
Données techniques
| Type | IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) |
| Tension maximale (Vce) | 1200V |
| Courant maximal (Ic) | 25A |
| Chute de tension (Vce(sat)) | 2.1V à 25A |
| Type de boîtier | TO-3P |
| Température de fonctionnement | -55°C à +150°C |
| Puissance dissipée | 208W |
| Fréquence de commutation | Haute vitesse |
| Applications | Alimentation, onduleurs, convertisseurs de puissance |
