IRG4BC40W – IGBT 600V 40A Boîtier TO-220AB pour Commande de Puissance

Le transistor IGBT IRG4BC40W est conçu pour les applications de commutation de haute puissance et de contrôle de charge. Il offre une faible dissipation thermique et une performance fiable, idéal pour les systèmes d'alimentation et de commande.

Expédition la moins chère à partir du prix
État des stocks: 6 PCS
Statut de livraison: 2-5 Jours
Payement et livraison à domicile 2 à 5 jours
20MAD
TTC
PCS

Description

Le IRG4BC40W est un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) haute performance, conçu pour répondre aux exigences des applications de commande de puissance, de conversion d’énergie et de pilotage de moteurs. Il combine les avantages des transistors bipolaires (haute tension, fort courant) et des MOSFETs (commande par tension, rapidité de commutation), offrant ainsi une solution très efficace pour les circuits de puissance modernes.

 IRG4BC40W est capable de commuter jusqu’à 600 volts avec un courant continu de 40 ampères, tout en conservant de faibles pertes de conduction et un temps de commutation réduit. Grâce à sa structure optimisée, il permet une excellente efficacité énergétique, ce qui en fait un choix privilégié pour les convertisseurs DC-AC, onduleurs, SMPS (Switch Mode Power Supply), variateurs de vitesse et commandes de moteurs industriels.

Son boîtier TO-220AB facilite l’intégration sur dissipateur thermique, avec une bonne dissipation thermique et un encombrement réduit. Ce format le rend adapté à la fois au prototypage sur carte que pour une intégration définitive dans des modules de puissance compacts.

Utilisé aussi bien dans le secteur industriel que dans les projets de R&D, l’IRG4BC40W est apprécié pour sa robustesse, sa fiabilité en environnement exigeant, et son rapport qualité/prix avantageux. C’est un composant incontournable pour les techniciens en électronique de puissance, makers avancés, ou étudiants spécialisés en automatisme, électrotechnique ou systèmes embarqués.

Nous livrons partout au Maroc, avec un service rapide, professionnel et sécurisé

Données techniques

Type Transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Boîtier TO-220
Tension maximale collecteur-émetteur (Vce) 600V
Courant collecteur (Ic) 22A
Tension maximale de grille-émetteur (Vge) ±20V
Résistance à l'état passant (Rds(on)) 2.5Ω
Température de fonctionnement -55°C à +150°C
Capacité de charge 30nC
Dissipation de puissance 125W
Temps de commutation 100ns
Applications Commande de moteurs, convertisseurs de puissance, systèmes d'alimentation, chauffage à induction

Produits similaires