Transistor à Effet de Champ 2N7000 : Solution de Commutation Fiable pour Projets Électroniques

Le transistor à effet de champ 2N7000 est un composant électronique polyvalent, idéal pour la commutation de signaux dans divers projets électroniques.

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Description

Le Transistor à Effet de Champ 2N7000 est un composant électronique largement utilisé pour la commutation de signaux dans les circuits électroniques. Ce transistor à canal N MOSFET offre une résistance de conduction faible et une capacité de commutation rapide, en faisant un choix privilégié pour les applications où la fiabilité et l'efficacité sont essentielles.

Le 2N7000 est conçu pour être utilisé dans des circuits basse tension et faible courant, avec une tension de seuil de seulement 2V et une capacité de commutation de jusqu'à 200 mA en continu. Il est adapté pour des applications telles que la commutation de LED, la commande de relais, la régulation de puissance, et bien d'autres.

Ce transistor est également largement utilisé dans les circuits de commutation rapide grâce à sa faible capacité de charge et à sa réponse rapide. Son boîtier TO-92 compact permet une intégration facile dans une variété de conceptions de circuits, tandis que sa robustesse et sa fiabilité en font un choix sûr pour une large gamme d'applications électroniques.

Données techniques

Type de transistor MOSFET (Transistor à Effet de Champ Métal-Oxyde)
Modèle 2N7000
Type de canal N (Canal N)
Tension de seuil (VGS(th)) 2V maximum
Tension drain-source maximale (VDS) 60V
Courant drain continu maximal (ID) 200 mA
Résistance de conduction (RDS(on)) 5 Ohms maximum à VGS = 10V
Température de fonctionnement -55°C à +150°C
Boîtier TO-92 (Plastique)
Compatibilité Compatible avec une variété de microcontrôleurs et de circuits intégrés
Applications Commutation de LED, commande de relais, régulation de puissance, circuits de commutation rapide

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