MOSFET 20N60 - Transistor de Puissance N-Channel 20A 600V pour Applications Haute Tension

Le MOSFET 20N60 est un transistor de puissance N-channel conçu pour gérer des courants jusqu'à 20A et des tensions jusqu'à 600V, idéal pour les circuits de commutation et les applications haute tension.

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Description

Le MOSFET 20N60 est un composant essentiel pour de nombreuses applications nécessitant une gestion efficace de la puissance et une capacité à supporter des tensions élevées. Ce transistor de puissance N-channel est capable de gérer des courants jusqu'à 20A avec une tension drain-source maximale de 600V, ce qui en fait un choix idéal pour les circuits de commutation et les alimentations à haute tension.

Avec une faible résistance à l'état passant (Rds(on)), le 20N60 permet de minimiser les pertes d'énergie, garantissant ainsi une efficacité énergétique accrue pour vos systèmes. Sa conception robuste permet également de supporter des conditions de fonctionnement difficiles, y compris les surcharges transitoires et les variations de tension.

Ce MOSFET est particulièrement adapté pour des applications telles que les convertisseurs de puissance, les onduleurs, les alimentations à découpage et les systèmes de commande de moteur. Sa capacité à fonctionner efficacement dans des environnements à haute tension en fait un composant de choix pour les ingénieurs cherchant à optimiser leurs circuits pour une performance fiable et durable.

Données techniques

Type de transistor MOSFET N-channel
Tension drain-source (Vds) 600V
Courant de drain (Id) 20A
Tension de grille-seuil (Vgs) ±20V
Résistance à l'état passant (Rds(on)) 0.17 Ω à Vgs=10V
Capacitance d'entrée (Ciss) 3000 pF
Charge de grille totale (Qg) 200 nC
Temps de montée (tr) 30 ns
Temps de descente (tf) 25 ns
Paquet TO-220
Température de fonctionnement -55°C à 150°C

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